投稿日:2024年10月10日 ワイドギャップ半導体材料β-Ga2O3のp型化に向けた研究 山梨大学工学域 物質科学系(クリスタル科学研究センター) 長尾 雅則 β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)は, 大きなバンドギャップを有することと低コストで単結晶基板が得られることから, 次世代のワイドギャップ半 もっと詳しく