β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)は, 大きなバンドギャップを有することと低コストで単結晶基板が得られることから, 次世代のワイドギャップ半導体材料として注目されている. しかし, 環境中に存在するSi(β-Ga2O3中ではn型として働く)の影響によりp型化にはアクセプター(p型キャリア)の大量導入が必要となるため, その実現が難しいといった問題がある. その中, Mg, Sr, Znについてアクセプター候補元素としてβ-Ga2O3への導入を試みた. Mgについてはp型化の実現が難しいといった結論に至ったが, Srは単結晶の育成条件を工夫することで大量導入できる可能性を見出し, Znは1018 cm-3程度導入することに成功した. 今後は, p型化の有無や各アクセプター候補元素の濃度制御等を行い, p型β-Ga2O3を実現したいと考えている.
