本研究では、プラズマ照射による半導体基板表面の極浅い領域の欠陥や状態変化を高速に分析するために、光散乱式ウエハ表面検査装置による新しい評価法を検討した。酸素の誘導結合プラズマ照射によりΦ4インチ半導体基板（Si, Ge）を酸化し、分光エリプソメトリにより酸化膜厚を、I-V測定から電気特性を評価した。光散乱強度分布と酸化状態や電気的特性と相関が得られたことから、半導体基板のダメージを高速に評価する手法として有効であることが分かった。
（「光散乱式ウエハ表面検査装置を用いたプラズマ照射半導体基板の表面ダメージ評価」　材料　山梨大学工学部応用化学コース/先端材料理工学科　佐藤　哲也）

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