本研究では、各種半導体関連材料の極低温領域におけるエッチング速度を、3種類の実験装置を使用し求めた。SiCやDLCはフッ素系エッチャントに対するの耐性が高いことを実証した。SiO2やSiNのエッチングの自己停止条件や極低温エッチング反応機構を明らかにした。
（「クライオ温度領域における半導体薄膜の堆積およびエッチングに関する研究」　材料　山梨大学工学部応用化学コース/先端材料理工学科　佐藤　哲也）

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