ショールーム

国立大学法人山梨大学

佐藤 哲也

真空装置の中で低温(-263℃~室温)に冷却した基板上に、薄膜材料の素であるガスを吹き付けて数分子層の厚さの分子氷をつくり、プラズマを用いて発生させた電子やエネルギーの高い活性種を照射します。すると、分子の分解が起こり、生成したラジカル(反応性に高い原子や分子)が隣接する分子と手を取り合う(重合する)ことにより、薄膜を作ることが出来ます。このように分子を並べて励起して原子・分子レベルで堆積する新しいボトムアップ成膜法を開発しています。また、分子氷を励起して基板と反応させることにより、基板材料を揮発性の反応生成物に変化させて気化をすることにより、原子レベルで削る(エッチングする)ことができます。これらの製膜/エッチング法は、山梨大学独自に開発した方法であり、原料ガスの利用効率が9割以上と高く、励起に必要なエネルギーも大幅に減らすことが可能な画期的な方法です。

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