国立大学法人山梨大学

矢野 浩司

本研究では、低オン抵抗の新しいパワートランジスタである、シリコンスーパージャンクションバイポーラトランジスタ、”Si-SJBJT”について紹介します。SJBJTは、従来の縦型の接合型バイポーラトランジスタのドリフト領域にスーパージャンクション構造(SJ構造)を適用したトランジスタです。SJBJTは、SJ構造の効果とホール注入効果により、原理的にユニポーラー型SJトランジスタよりも低いオン抵抗が可能です。開発したSi-SJBJTは、電圧定格650V、特性オン抵抗は2.1〜4.2mΩcm2というワイドバンドギャップ半導体にせまる低オン抵抗です。またシリコン材料を用いているため低コストというメリットもあります。

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